半導體突圍戰(zhàn):“科研-資本-產(chǎn)業(yè)”結(jié)合實現(xiàn)三代半導彎道超車?
近日,一場至關(guān)重要的半導體等新材料的創(chuàng)新對話在東莞松山湖產(chǎn)業(yè)園區(qū)首次舉辦。作為華為總部研發(fā)基地的座落地,松山湖產(chǎn)業(yè)園區(qū)承載著諸多創(chuàng)新性研發(fā)基地,其中已逐漸形成產(chǎn)業(yè)鏈的第三代半導體 能否實現(xiàn)彎道超車?
11月26日,首期中國·松山湖新材料高峰論壇在東莞松山湖召開。本次論壇旨在構(gòu)建“科研-產(chǎn)業(yè)-資本”對話平臺,實現(xiàn)科研、產(chǎn)業(yè)、資本的高效對接,推動新材料行業(yè)前瞻性研究成果共享,提高科技成果轉(zhuǎn)化率,服務(wù)國家創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略。
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關(guān)于第三代半導體等新材料的一次頭腦風暴
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如今我國半導體面臨著關(guān)鍵技術(shù)的卡脖子,半導體材料在經(jīng)歷了數(shù)代的更迭后,以碳化硅及氮化鎵為代表的第三代半導體,因為其優(yōu)異的性能表現(xiàn),逐步受到關(guān)注,讓其成為未來超越摩爾定律的倚賴。
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我國為了把握住第三代半導體發(fā)展的戰(zhàn)略機遇,持續(xù)推出產(chǎn)業(yè)支持政策,在國家層面加大了產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略指導,在財稅政策方面提供各種優(yōu)惠扶持政策。國內(nèi)針對第三代半導體產(chǎn)業(yè)的投資金額也日益增長,已經(jīng)初步形成了第三代半導體完善的產(chǎn)業(yè)鏈布局。
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本次首期中國·松山湖新材料高峰論壇是由國家開發(fā)投資集團有限公司、東莞市人民政府、松山湖材料實驗室、華為技術(shù)有限公司主辦,中國國投高新產(chǎn)業(yè)投資有限公司、國投創(chuàng)合基金管理有限公司、東莞松山湖高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會承辦。
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國投集團黨組書記、董事長白濤在論壇致辭中表示,十九屆五中全會把科技自立自強作為國家發(fā)展的戰(zhàn)略支撐。新材料已經(jīng)成為現(xiàn)代高技術(shù)發(fā)展的先導和基石,如何通過創(chuàng)新掌握核心技術(shù),是我們亟待解決的重大課題。
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作為國家科技創(chuàng)新企業(yè)的支持者,近年來國投參與設(shè)立了20余支新材料領(lǐng)域子基金,共同投資了超過200家企業(yè),支持了一批深耕新材料領(lǐng)域?qū)I(yè)投資機構(gòu)的成長。國投方面表示,邁向“十四五”,國投將做專戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),特別是在新材料產(chǎn)業(yè)上,積極培育具有關(guān)鍵獨創(chuàng)技術(shù)、專精特新的隱形冠軍。
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東莞市委書記梁維東在致辭中介紹到,東莞位于粵港澳大灣區(qū)核心軸,全市形成了覆蓋30多個行業(yè)和6萬多種產(chǎn)品的比較完整的制造業(yè)產(chǎn)業(yè)體系。廣東省政協(xié)副主席袁寶成在致辭中表示,目前,廣東省新材料產(chǎn)業(yè)規(guī)模約500億元,在政府出臺的新材料產(chǎn)業(yè)規(guī)劃中,預計到2025年將達1000億元。
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第三代半導體能否實現(xiàn)彎道超車?
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創(chuàng)新是一個系統(tǒng)工程,創(chuàng)新鏈、產(chǎn)業(yè)鏈、資金鏈、政策鏈相互交織、相互支撐,只有科技創(chuàng)新和制度創(chuàng)新雙輪驅(qū)動,發(fā)揮協(xié)同作用,才能事半功倍。國投集團黨組書記、董事長白濤希望通過此次論壇,能夠有效發(fā)揮政府引導、資本帶動、科研轉(zhuǎn)化、企業(yè)創(chuàng)新的合力作用,共同推動我國新材料產(chǎn)業(yè)加快邁向高端。
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河北同光晶體有限公司副總經(jīng)理王巍表示:“相較于第一、二代半導體,第三代半導體材料處于發(fā)展初期。國內(nèi)企業(yè)和國際巨頭基本處于同一起跑線?!?/span>
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安信證券電子首席分析師賈順鶴也在該會上表示,國產(chǎn)化替代和產(chǎn)業(yè)升級雙驅(qū)動,第三代半導體將迎來下一個產(chǎn)業(yè)浪潮。
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第一代半導體材料主要是指硅(Si)、鍺(Ge)元素等單質(zhì)半導體材料;第二代半導體材料主要是指砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)等材料,主要應(yīng)用于高速功率放大器和LED中。
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第三代半導體主要是指碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等材料。相比于第一、二代半導體,第三代半導體具有更高的禁帶寬度、高擊穿電壓、電導率和熱導率等特點。它在新能源車、光伏風電、不間斷電源、家電工控等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景。
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同時他表示,新能源汽車行業(yè)是碳化硅市場最大的驅(qū)動力。到2025年,新能源汽車與充電樁領(lǐng)域的碳化硅市場將達到17.78億美元(約合人民幣116.81億元),約占碳化硅總市場規(guī)模的七成。
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山東天岳先進科技股份有限公司市場與銷售副總李宛瞳預計,碳化硅市場將于2025年達到25億美元(約合人民幣164.38億元)的市場規(guī)模。
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目前全球碳化硅的產(chǎn)業(yè)格局呈現(xiàn)美國、歐洲、日本三足鼎立的態(tài)勢。美國的科銳、德國的英飛凌、日本的羅姆這三家公司,占據(jù)了全球碳化硅市場約七成份額。
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北京天科合達半導體股份有限公司常務(wù)副總經(jīng)理彭同華也在會上表示,中國已建立起設(shè)備、襯底、外延、設(shè)計、制造、封測和應(yīng)用等較為完整的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈,有利于提升國有產(chǎn)品的競爭力。
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此外,國務(wù)院于2015年5月印發(fā)的《中國制造2025》,也對第三代半導體做出了目標規(guī)劃。
《中國制造2025》提出,到2025年,先進半導體材料實現(xiàn)在5G通信、高效能源管理中的國產(chǎn)化率達到50%;在新能源汽車、消費電子中實現(xiàn)規(guī)模應(yīng)用,在通用照明市場滲透率達到80%以上。
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最后,在晚上交流會上,松山湖實驗室陳東敏常務(wù)副主任也表示,目前科研與市場相結(jié)合是全球的難題,本次論壇便是探討一次通過論壇交流的形式形成“科研-資本-產(chǎn)業(yè)”的溝通,如何實現(xiàn)跨越死亡之井。
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也就是說,在前期政府投入資金發(fā)展前期技術(shù),到后來會經(jīng)歷死亡之井,此時產(chǎn)業(yè)資本由于風險偏好,不愿投入資金。如何跨越該死亡之井,也是各個國家面臨技術(shù)創(chuàng)新的難題。
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