半導體行業無疑是信息時代最重要的基礎設施，而存儲芯片作為半導體行業的核心產品，其價格和需求也隨著宏觀環境以及下游需求的變化而波動，具有較強的周期屬性。在經歷了兩年多的下行周期后，存儲芯片乃至整個半導體行業有望在2024年迎來周期拐點。同時隨著物聯網、人工智能等新興領域的迅速發展，存儲市場需求將會進一步增長。東芯股份作為國內領先存儲芯片廠商之一，已形成SLC NAND + NOR + DRAM + MCP四大核心產品類別，具有較高的市場份額和客戶認可度，并成功進入多家國內外知名客戶的供應鏈體系，有望在新一輪的存儲周期中受益。

　　存儲周期復蘇將至

　　回看半導體行業的發展歷程，行業整體呈現出比較強的周期性。在過去二十多年中，共出現了四輪周期，每一輪持續時間大概在4-5年左右，上行周期和下行周期一般都在2年左右。存儲器占整個半導體行業銷售比重超過20%，是半導體最為重要的細分領域之一。存儲器的周期基本與半導體行業的周期同步，且呈現出相對更高的彈性。本輪存儲周期的高點出現在2021年年中左右，下行至今已經歷了超過兩年時間。

　　自2023年7月起，主流型號存儲器的價格就已明顯企穩，9月起至今更是普遍錄得20%以上的漲幅。市場產生了明顯的邊際變化，出現周期回暖跡象。

　　從存儲芯片的供給端看，存儲頭部廠商自2022年底起即開始對產量進行控制：西部數據從2023年1月開始削減30%產量;SK海力士從2022年10月即對低端產品減產，同時在2023年進一步削減NAND產量的5-10%;三星在2023年4月宣布減產，并在下半年繼續執行;美光宣布減產30%直至2024年;凱俠在2022年10月宣布將日本四日市和北上NAND FLASH晶圓廠減產約30%。

　　根據頭部廠商近期披露的財報數據，大部分頭部廠商目前仍處于虧損狀態。預計在頭部企業實現扭虧前，仍將繼續執行目前的控產策略。美光近期給出指引，預計2024年Q2或Q3才能實現毛利率轉正。預計供給端偏緊的狀態將至少持續至2024年年中。

　　從需求端看，下游消費電子市場的疲軟是導致本輪存儲器周期下行的主要原因之一。由于宏觀經濟增速放緩，2020、21年筆電購買高峰退坡等因素，消費電子景氣度自2022年起持續下降。根據 Trendforce 的預計，2023年智能手機、筆記本電腦的出貨量將同比下降3.1%和13.2%。

　　邊際變化出現在今年Q3。根據 Canalys 數據，Q3智能手機出貨量達到了2.946億部，單季同比降幅大幅收窄至1%;個人電腦出貨量6560萬臺，環比增長8%，同比降幅收窄至7%，創下一年內最少跌幅。根據 Trendforce 預計，智能手機及PC市場將在2023Q4起實現溫和增長，2024年智能手機、筆電出貨量將分別增長2.9%和2.1%。

　　展望2024年，供給端維持收縮，需求端逐步恢復，存儲周期復蘇可期。

　　人工智能刺激大容量高速存儲需求

　　Chatgpt于2022年11月推出后迅速引爆全球資本市場對人工智能的熱情。AI大模型需要通過AI服務器進行訓練，AI模型的訓練離不開高速大容量存儲的支持。

　　根據TrendForce分析，AI服務器需要配置更多DRAM、SSD和HBM等大容量存儲以應對日益復雜的大模型所帶來的海量數據。當前服務器DRAM普遍配置約為500 - 600GB，而AI服務器DRAM 配置可達1.2 - 1.7TB，是普通服務器的二到三倍。而根據TrendForce數據，2022年AI服務器出貨量85.5萬臺，2023年將大幅增長38%至118.3萬臺。AI服務器出貨量及單臺DRAM配置量的雙重增長，將大幅提升服務器領域對于存儲的需求。

　　另外，AI大模型訓練對內存帶寬提出了更高要求。HBM(高帶寬存儲器)是一款新型內存芯片，其特點是大容量、高帶寬。目前最新的HBM3帶寬最高可達819GB/s。ChatGPT熱潮帶動HBM需求快速增長，TrendForce 預計2023年全球HBM市場規模為39億美元，2024年隨著HBM3滲透率大幅提升，有望進一步帶動2024年HBM市場規模增長至89 億美元，同比增長127%。

　　目前HBM市場主要由SK海力士、三星和美光這三大巨頭壟斷。其中SK海力士市占率50%，三星占據40%，美光占據10%。AI大模型一方面帶動了大容量高速存儲芯片的需求，提高了存儲市場整體的景氣度，另外一方面也使得海外大廠將更多產能轉向此類產品，限制了其在利基型存儲產品的產能，對利基型存儲市場也將形成利好。

　　物聯網快速發展帶動利基型存儲需求

　　物聯網(IOT)指的是通過互聯網連接和互相通信的各種設備的網絡。這些設備可以是傳感器、智能手機、家用電器、汽車、工業設備等。它們通過內置的傳感器、軟件和其他技術，實現設備之間的互聯互通，從而實現自動化控制、監測和交互。

　　物聯網的發展速度非常快，近年來呈現出爆發式增長的趨勢。根據市場研究機構Statista的數據，2023年全球物聯網設備數量將超過150億個，預計2030年這一數字將增長至295億個，年均復合增長率達到11%。

　　由于物聯網設備通常體積小巧和輕量化，且一般需要長時間運行，因此應用于物聯網設備的存儲芯片也需要具備體積小、功耗低、高可靠性等特點。以NOR和SLC NAND為代表的利基型存儲器正是具備了以上這些特點，因此被廣泛應用于各種物聯網設備，未來也將長期受益于物聯網行業的快速發展。

　　多因素共振東芯股份或將受益

　　作為國內存儲領域頭部企業之一，東芯股份已形成SLC NAND+NOR+DRAM+MCP 四大產品類別，是大陸少數能同時提供NAND Flash、NOR Flash、DRAM等存儲芯片完整解決方案的公司。

　　SLC NAND和NOR等利基型存儲芯片是公司的核心產品。由于技術結構上的特點，相較于MLC/TLC NAND，SLC NAND具有高可靠性、高可擦除性等優勢，被廣泛應用于5G 通訊、企業級網關、網絡智能監控、數字錄像機、數字機頂盒和智能手環等終端產品。公司是國內SLC NAND領域的龍頭企業，已通過聯發科、瑞芯微、中興微、博通等行業主流平臺廠商的驗證，并已獲得包括中興通訊、烽火通信、海康威視、大華股份、創維數字、航天信息等知名終端客戶的認可。

　　公司也高度重視研發工作，并在存儲芯片領域積累了較強的技術實力。根據公司財報，2023年前三季度公司累計研發投入達到1.27億元，同比增長51.06%。研發進展看，先進制程的 1xnm NAND Flash 產品已完成首輪晶圓流片及首次晶圓制造，正在進行晶圓測試及工藝調整工作;NOR Flash 可實現 48nm 制程量產;DRAM 已可實現 25nm 工藝節點的量產;車規產品方面，公司目前也已有部分產品通過 AEC-Q100 的認證。

　　步入2024年，在頭部廠商控產、下游需求恢復、AI及物聯網帶動需求等多重積極因素影響下，存儲行業回暖可能將是大概率事件。在這一背景下，疊加國產替代的行業趨勢，東芯股份作為國內存儲領域的頭部企業，預計將在新一輪存儲周期中迎來更多發展機遇，下一階段的業績表現值得期待。

來源/同壁財經